Bourse : 92 000 à 120 000 dollars
Diplôme : PhD, MD
Nationalité : Les étudiants internationaux/PD à l’intérieur et à l’extérieur des États-Unis sont encouragés à postuler.
Emplacement : USA
Dates limites de candidature : La date de début est flexible
Description de la bourse :
Plusieurs postes de postdoctorants et d’assistants de recherche diplômés dans le domaine de la photonique quantique sont disponibles au Center for Integrated Nanotechnologies (Los Alamos Gateway). Nous recherchons des candidats exceptionnels pour se joindre à nos efforts de caractérisation spectroscopique des matériaux 2D et de leurs hétérostructures, des défauts quantiques à l’état solide, des nanocristaux semi-conducteurs, des nanotubes de carbone à paroi simple et des nanostructures hybrides métal-semiconducteur. La portée des projets va de l’étude de la photo-physique fondamentale et de l’optique quantique à l’intégration d’émetteurs quantiques dans des dispositifs quantiques proto-typés. Le candidat retenu aura un accès direct à des outils de spectroscopie optique avancés à nanostructure unique, notamment des systèmes PL/PLE/TRPL à basse température, magnéto PL, ODMR, un système NSOM/AFM sans ouverture, un microscope Raman confocal à balayage et des installations de fabrication microélectronique de pointe. Le candidat travaillera en étroite collaboration avec plusieurs scientifiques du LANL : Han Htoon, Scott Crooker, Andrew Jones, et Jennifer A. Hollingsworth. Les candidats exceptionnels peuvent être considérés pour une bourse prestigieuse du directeur, les bourses J. Robert Oppenheimer, Richard P. Feynman ou Frederick Reines.
Sujets disponibles :
Processus photophysiques fondamentaux des nanostructures semi-conductrices, métalliques et hybrides métal-semiconducteur.
Critères d’éligibilité :
Expertise dans une ou plusieurs des techniques expérimentales suivantes : spectroscopie ODMR, microscopie à centre NV à balayage, spectroscopie ultrarapide, spectroscopie/microscopie de molécules uniques (points quantiques), microscopie/spectroscopie en champ proche, microscopie AFM/STM, assemblage de matériaux 2D et fabrication de dispositifs, fabrication de matériaux photoniques/plasmoniques/méta-matériaux et intégration avec des émetteurs quantiques. Une solide expérience des processus photophysiques fondamentaux des nanostructures semi-conductrices, métalliques et hybrides métal-semiconducteur. Excellentes compétences en communication écrite et orale.
Procédure de candidature :
Pour toute question technique supplémentaire et pour postuler, contactez Han Htoon ([email protected], 505-665-5444). Pour des informations générales, consultez http://www.lanl.gov/science/postdocs/ ou http://www.lanl.gov/education/grad/.
